Головна /
Пам'ять для ПК та ноутбуків /
Б/В Оперативна пам'ять Kingston Fury SODIMM DDR5-5600 65536MB PC5-44800 (Kit of 2x32768) Impact 2Rx8 Black (KF556S40IBK2-64)
Б/В Оперативна пам'ять Kingston Fury SODIMM DDR5-5600 65536MB PC5-44800 (Kit of 2x32768) Impact 2Rx8 Black (KF556S40IBK2-64)
Артикул: 8709781
Kingston Fury
29 000,00 ₴
✓ В наявності (2 шт.)
З чудовою швидкістю, функцією Plug N Play, подвоєною з 16 до 32 кількістю банків та подвоєною з 8 до 16 довжиною пакета Kingston FURY Impact DDR5 ідеально підходить для геймерів та ентузіастів, яким потрібна вища продуктивність наступного покоління.
Характеристики
| Призначення | Для ноутбука |
| Частота пам'яті | 5600 МГц |
| Тип оперативної пам'яті | DDR5 |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Об'єм одного модуля (GB) | 32 |
| Кількість модулей в комплекті | 2 |
| Номінальна напруга | 1.1 |
| Ефективна пропускна спроможність | 44800 Мб/с |
Опис
Збільшуючи швидкість, місткість та надійність, Kingston FURY Impact DDR5 пропонує цілий арсенал розширених функцій, таких як ECC на кристалі (ODECC) для підвищення стабільності на екстремальних швидкостях, два 32-бітових підканали для підвищення ефективності та інтегрована в модуль схема управління живленням (PMIC), що забезпечує контроль і підстроювання напруг безпосередньо на модулі пам'яті. Kingston FURY Impact DDR5 - це наступне підвищення рівня, при якому ідеально поєднуються стиль і продуктивність. Крім того, Kingston FURY Impact DDR5 отримала сертифікат Intel XMP 3.0 і Certified, що означає, що користувачі можуть розраховувати на простий, стабільний та сертифікований розгін.
Особливості:
Особливості:
- Висока продуктивність: Пам'ять DDR5 на 50% швидше, ніж DDR4, що додає продуктивності в іграх, рендері та багатозадачних середовищах.
- Підтримка автоматичного розгону Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 підтримує автоматичний розгін до максимальної частоти, зазначеної в специфікаціях.
- Сертифікація Intel XMP 3.0: Підвищення продуктивності пам'яті з попередньо оптимізованими таймінгами, швидкістю та напругою живлення для розгону.
- Нижче енергоспоживання, вища ефективність: Зниження тепловиділення та підвищення ефективності системи завдяки низькій напрузі живлення пам'яті Impact DDR5 1.1 В.
- Підвищена стабільність при розгоні: Корекція помилок на кристалі (On-die ECC, ODECC) допомагає забезпечити цілісність даних при розгоні пам'яті для підвищення її продуктивності.